Nd:YVO4 – Diodpumpade halvledarlasrar

Kort beskrivning:

Nd:YVO4 är en av de mest effektiva laservärdkristallerna som för närvarande finns för diodlaserpumpade halvledarlasrar.Nd:YVO4 är en utmärkt kristall för högeffekts, stabila och kostnadseffektiva diodpumpade halvledarlasrar.

Fråga nu Skicka e-post till oss

Produktdetalj

Produkttaggar

Produktbeskrivning

Nd:YVO4 kan producera kraftfulla och stabila IR, gröna, blå lasrar med designen av Nd:YVO4 och frekvensfördubblingskristaller.För de applikationer där mer kompakt design och enkel-longitudinellt läge behövs, visar Nd:YVO4 sina speciella fördelar jämfört med andra vanligt använda laserkristaller.

Fördelar med Nd:YVO4

● Låg lasringströskel och hög lutningseffektivitet
● Stort stimulerat emissionstvärsnitt vid lasrande våglängd
● Hög absorption över en bred pumpvåglängdsbandbredd
● Optiskt enaxlig och stor dubbelbrytning avger polariserad laser
● Lågt beroende av pumpens våglängd och tenderar till enkellägesutgång

Grundläggande egenskaper

Atomdensitet	~1,37x1020 atomer/cm2
Kristallstruktur	Zircon Tetragonal, rymdgrupp D4h, a=b=7,118, c=6,293
Densitet	4,22 g/cm2
Mohs hårdhet	Glasliknande, 4,6 ~ 5
Termisk expansion Koefficient	αa=4,43x10-6/K, αc=11,37x10-6/K
Smältpunkt	1810 ± 25 ℃
Laser våglängder	914 nm, 1064 nm, 1342 nm
Termisk optisk Koefficient	dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K
Stimulerad emission Tvärsnitt	25,0x10-19 cm2, @1064 nm
Fluorescerande Livstid	90 ms (cirka 50 ms för 2 atm% Nd-dopad) @ 808 nm
Absorptionskoefficient	31,4 cm-1 vid 808 nm
Absorptionslängd	0,32 mm @ 808 nm
Inneboende förlust	Mindre 0,1% cm-1, @1064 nm
Få bandbredd	0,96 nm (257 GHz) vid 1064 nm
Polariserad laser Utsläpp	parallell med optisk axel (c-axel)
Diod pumpad Optisk till optisk Effektivitet	> 60 %
Sellmeiers ekvation (för rena YVO4-kristaller)	no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) -0,0108133λ2
	no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) -0,0122676λ2

Tekniska parametrar

Nd dopämneskoncentration	0,2 ~ 3 atm%
Dopmedelstolerans	inom 10 % av koncentrationen
Längd	0,02 ~ 20 mm
Beläggningsspecifikation	AR @ 1064nm, R< 0,1 % & HT @ 808nm, T>95 %
	HR @ 1064nm, R>99,8% & HT@ 808nm, T>9%
	HR @ 1064 nm, R>99,8 %, HR @ 532 nm, R>99 % & HT @ 808 nm, T>95 %
Orientering	a-cut kristallin riktning (+/-5 ℃)
Dimensionell tolerans	+/-0,1 mm (typiskt), Hög precision +/- 0,005 mm kan fås på begäran.
Vågfrontsförvrängning	<λ/8 vid 633 nm
Ytkvalitet	Bättre än 20/10 Scratch/Dig per MIL-O-1380A
Parallellism	< 10 bågsekunder